«سامسونج» تكشف عن أول نموذج مبدئي لتقنية «zHBM»

كشفت شركة "سامسونج" للإلكترونيات اليوم عن أول نماذج مفاهيمية لتقنية "zHBM" في القطاع، وهي بنية ذاكرة من الجيل التالي يتوقع أن توفر أداء يبلغ حوالي 8 أضعاف أداء "HBM5".  

وعرضت أكبر شركة لتصنيع رقائق الذاكرة في العالم هذه التكنولوجيا من الجيل التالي خلال مؤتمر "مستقبل الذاكرة والتخزين 2026"، الذي عقد في "سانتا كلارا" بولاية "كاليفورنيا" الأمريكية يوم أمس الثلاثاء.

ووفقا لشركة سامسونج قد صممت تقنية "zHBM" خصيصا للحوسبة المتقدمة في مجال الذكاء الاصطناعي، وتتميز بهندسة ذاكرة جديدة تقوم بتكديس ذاكرة النطاق العريض "HBM" عموديا فوق مسرعات الذكاء الاصطناعي مباشرة، متجاوزة بذلك التصاميم التقليدية التي يتم فيها وضع ذاكرة "HBM" بجانب المعالج، وباستخدام تقنية ربط الرقائق، يمكن لشرائح "zHBM" أيضا تحقيق كثافة ذاكرة تزيد بأكثر من 10 أضعاف عن "HBM5"، مع مضاعفة كفاءة الطاقة ثلاث مرات وتقليل المقاومة الحرارية بأكثر من النصف.

كما تدعم هذه التقنية التصميمات المخصصة للعملاء، من خلال السماح بدمج الملكية الفكرية المخصصة في الطبقة الفاصلة بين الذاكرة ومسرع الذكاء الاصطناعي، مما يوسع سعة الذاكرة ويحسن أداء المسرع.  

ومن خلال تقليل المسافة التي تقطعها البيانات بين معالج الذكاء الاصطناعي والذاكرة إلى أدنى حد، صممت تقنية "zHBM" لتوفير نطاق ترددي أعلى وكفاءة أكبر في استهلاك الطاقة، مما يتيح معالجة البيانات فائقة السرعة المطلوبة للتدريب والاستدلال في مجال الذكاء الاصطناعي على نطاق واسع.